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                  電磁脈沖防護理論與技術

                  HEMP/LEMP的產生與危害:
                  核爆以一種獨特的方式與地球磁場和大氣相互作用,從而產生電磁脈沖(EMP);在目標區域產生強大的電磁脈沖沖擊波,電場強度從1000V/m ~10^5V/m不等,具有高電壓、高場強、頻譜寬、范圍廣的特點,通過強大的輻射耦合效應,或者通過各類線纜進入電子、電氣設備,對設備內部的半導體組件構成強大的損毀效應。
                  西北核技術研究所崔志同等利用PCI試驗方法研究了電磁脈沖對集成半導體器件的損傷閾值,獲得了閾值的概率分布函數,最小損傷閥值為15A,同時,幾個安培的脈沖電流即可引發敏感性問題。按照場隨時間變化的關系,電磁脈沖由三個部分構成,分別定義為:E1、E2、E3。電磁脈沖濾波器的用途:在E1、E2階段,對分配電接口的后續用電設備提供電磁脈沖防護。

                  電磁脈沖的頻譜特征:
                  LEMP雷電電磁脈沖屬于雷電二次效應,在GJB8848(MIL-STD-464)標準中均有明確考核要求,其主要特點是:上升沿較寬,頻譜主要分布在0~10MHz以內,頻譜分布較HEMP簡單,更容易防護。
                  HEMP在地表附近傳播時,大致為一個平面波。時域波形為一個雙指數波形,它的數學表達式為一個基于常數e的指數函數。根據行業的工程數據,在目標區域的功率頻譜分布大致如下圖所示 。

                  電磁脈沖的耦合機理:
                  EUT/SUT所接收的電磁脈沖干擾,主要取決于場源和空間耦合。 如果我們把核爆簡單的看作是一副發射天線,則目標區域的場強與天線的發射功率,方向圖,極化特性,效率,增益,距離等密切關聯。同時,也與EUT/SUT和所在空間場的耦合系數密不可分。耦合系數主要受以下條件制約:EUT/SUT的幾何形狀,線纜的分布,搭接狀況,電磁場暴露程度等。??????
                  系統/設備級線纜電磁脈沖解決方案:



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